发明名称 |
静电放电保护电路及半导体元件 |
摘要 |
本发明实施例提供一种静电放电保护电路及半导体元件。静电放电保护电路包括:一滤波电路,包括:一电容装置,其中该电容装置的一第一端耦接至具有一第一电压的一第一轨线,且电容装置的一第二端耦接至一第一节点;以及一第一电阻,其中第一电阻的一第一端耦接至第一节点,且第一电阻的一第二端耦接至具有一第二电压的一第二轨线,其中第一电压大于第二电压;一静电放电保护元件,包括:一第一N型场效晶体管,其具有一栅极、一漏极及一源极,漏极耦接至该第一轨线,且源极耦接至第二轨线,栅极接收一第三电压以开启第一N型场效晶体管;以及一触发电路,耦接于滤波电路与静电放电保护元件之间。 |
申请公布号 |
CN104867910A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201410252607.9 |
申请日期 |
2014.06.09 |
申请人 |
新唐科技股份有限公司 |
发明人 |
林大宪 |
分类号 |
H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
贾磊 |
主权项 |
一种静电放电保护电路,其特征在于,所述静电放电保护电路包括:一滤波电路,包括:一电容装置,其中该电容装置的一第一端耦接至具有一第一电压的一第一轨线,且该电容装置的一第二端耦接至一第一节点;以及一第一电阻,其中该第一电阻的一第一端耦接至该第一节点,且该第一电阻的一第二端耦接至具有一第二电压的一第二轨线,其中该第一电压大于该第二电压;一静电放电保护元件,包括:一第一N型场效晶体管,其具有一栅极、一漏极及一源极,该漏极耦接至该第一轨线,且该源极耦接至该第二轨线,该栅极接收一第三电压以开启该第一N型场效晶体管;以及一触发电路,耦接于该滤波电路与该静电放电保护元件之间。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |