| 发明名称 | 一种可调的垂直式磁电阻元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可调的垂直式磁电阻元件，包括依次相邻的参考层、势垒层、记忆层、功能层和电极层；所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面，所述记忆层至少包括第一记忆子层和第二记忆子层，所述第一记忆子层是铁磁性材料层且与所述势垒层相邻，所述第二记忆子层是非晶态铁磁性材料层且与所述功能层相邻；所述功能层与所述记忆层相邻，其是具有NaCl晶格结构的材料层，并且所述功能层的(100)晶面平行于基底平面、[110]晶向的晶格常数略大于bcc相Co在[100]晶向的晶格常数。 | ||
| 申请公布号 | CN104868052A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201510179744.9 | 申请日期 | 2015.04.16 |
| 申请人 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 发明人 | 郭一民;陈峻;肖荣福 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种磁电阻元件，包括：参考层，所述参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面；记忆层，所述记忆层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面；势垒层，所述势垒层位于所述参考层和所述记忆层之间且分别与所述参考层和所述记忆层相邻；其特征在于，还包括功能层，所述功能层与所述记忆层相邻；所述功能层是具有NaCl晶格结构的材料层，并且所述功能层的(100)晶面平行于基底平面、[110]晶向的晶格常数略大于bcc相Co在[100]晶向的晶格常数；以及电极层，所述电极层与所述功能层相邻；并且所述记忆层至少包括第一记忆子层和第二记忆子层，所述第一记忆子层是铁磁性材料层且与所述势垒层相邻，所述第二记忆子层是非晶态铁磁性材料层且与所述功能层相邻。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 | ||