| 发明名称 | 结晶性硅化钴膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。<img file="dest_path_image002.GIF" wi="184" he="55" />式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。 | ||
| 申请公布号 | CN102656667B | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201080059237.7 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 下田达也;松木安生;川尻陵 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孔青;李炳爱 |
| 主权项 | 结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子，<img file="dest_path_image001.GIF" wi="220" he="63" />式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||