发明名称 |
一种基于FRAM的大容量存储器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种基于FRAM的大容量存储器,包括至少一片FRAM,其特征在于,所述FRAM组成阵列结构,其中地址线、数据线以总线的形式连接在一起,通过CE片选信号来使能其中某一片 FRAM 进行读写,每一个FRAM阵列由一个CPLD 管理,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制。CPLD 管理一个 FRAM 阵列,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制,整个存储系统对外留有虚拟 SRAM 接口,便于嵌入式系统进行读写操作。该存储器写入速度快且具有无限次写入寿命。 |
申请公布号 |
CN204596424U |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201520233175.7 |
申请日期 |
2015.04.17 |
申请人 |
中傲智能科技(苏州)有限公司 |
发明人 |
陈伟;张琳 |
分类号 |
G11C11/22(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/22(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
范晴 |
主权项 |
一种基于FRAM的大容量存储器,包括至少一片FRAM,其特征在于,所述FRAM组成阵列结构,其中地址线、数据线以总线的形式连接在一起,通过CE片选信号来使能其中某一片 FRAM 进行读写,每一个FRAM阵列由一个CPLD 管理,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路99号D612室 |