发明名称 一种基于FRAM的大容量存储器
摘要 本实用新型公开了一种基于FRAM的大容量存储器,包括至少一片FRAM,其特征在于,所述FRAM组成阵列结构,其中地址线、数据线以总线的形式连接在一起,通过CE片选信号来使能其中某一片 FRAM 进行读写,每一个FRAM阵列由一个CPLD 管理,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制。CPLD 管理一个 FRAM 阵列,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制,整个存储系统对外留有虚拟 SRAM 接口,便于嵌入式系统进行读写操作。该存储器写入速度快且具有无限次写入寿命。
申请公布号 CN204596424U 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201520233175.7 申请日期 2015.04.17
申请人 中傲智能科技(苏州)有限公司 发明人 陈伟;张琳
分类号 G11C11/22(2006.01)I 主分类号 G11C11/22(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 范晴
主权项  一种基于FRAM的大容量存储器,包括至少一片FRAM,其特征在于,所述FRAM组成阵列结构,其中地址线、数据线以总线的形式连接在一起,通过CE片选信号来使能其中某一片 FRAM 进行读写,每一个FRAM阵列由一个CPLD 管理,FPGA 对所有的 CPLD 进行读写控制。
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