| 发明名称 | 一种半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一阻挡层、第一层间介电层；在所述第一层间介电层和所述第一阻挡层中，形成第一沟槽；在所述第一沟槽内填充第一金属层；执行第一化学机械研磨工艺，以形成第一金属互连线；回蚀刻所述第一层间介电层，以露出部分所述第一金属互连线；在所述第一层间介电层以及所述第一金属互连线上形成第二阻挡层和第二层间介质层；在所述第二阻挡层和第二层间介质层中形成第二沟槽和通孔以露出所述第一金属互连线；在所述第二沟槽和所述通孔中填充第二金属层。通过此方法避免了通孔底端虎齿现象的出现，提高了器件的可靠性和良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN104867861A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201410062292.1 | 申请日期 | 2014.02.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张城龙;胡敏达 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成第一阻挡层、第一层间介电层；在所述第一层间介电层和所述第一阻挡层中，形成第一沟槽；在所述第一沟槽内填充第一金属层；执行第一化学机械研磨工艺，以形成第一金属互连线；回蚀刻所述第一层间介电层，以露出部分所述第一金属互连线；在所述第一层间介电层以及所述第一金属互连线上依序形成第二阻挡层和第二层间介电层；在所述第二阻挡层和第二层间介电层中形成第二沟槽和通孔以露出所述第一金属互连线；在所述第二沟槽和所述通孔中填充第二金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||