发明名称 |
像素结构与薄膜晶体管 |
摘要 |
一种像素结构,包括扫描线、数据线、栅极、通道层、栅介电层、源极、漏极以及像素电极。数据线与扫描线交错设置。栅极电性连接扫描线。栅介电层至少部分介于通道层与栅极之间。源极电性连接该数据线。源极与漏极电性连接通道层,且源极与漏极其中至少一包括第一部分以及第二部分,其中第一部分沿第一方向延伸,且第一部分至少部分与通道层重叠;第二部分连接第一部分,并沿第二方向延伸,第二方向不与第一方向平行,且第二部分至少部分与栅极重叠。像素电极电性连接漏极。 |
申请公布号 |
CN104867947A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510273677.7 |
申请日期 |
2015.05.26 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
范大伟;陈宜芳 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭蔚 |
主权项 |
一种像素结构,其特征在于,包括:一扫描线;一数据线,与该扫描线交错;一栅极,电性连接该扫描线;一通道层;一栅介电层,至少部分介于该通道层与该栅极之间;一源极,电性连接该数据线;一漏极,该源极与该漏极电性连接该通道层,且该源极与该源极其中至少一者包括:一第一部分,沿一第一方向延伸,且该第一部分至少部分与该通道层重叠;以及一第二部分,连接该第一部分,并沿一第二方向延伸,该第二方向不与该第一方向平行,且该第二部分至少部分与该栅极重叠;以及一像素电极,电性连接该漏极。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |