| 发明名称 | 扩展方法、半导体装置的制造方法、及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式涉及一种扩展方法，其具有以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，并扩大芯片的间隔的工序(IIC)。 | ||
| 申请公布号 | CN104871295A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380067782.4 | 申请日期 | 2013.12.26 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 岩永有辉启;铃村浩二;作田竜弥 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 葛凡 |
| 主权项 | 一种扩展方法，其包含以下工序：准备具有沿着分割预定线形成有改性部的半导体晶片、芯片焊接膜、及切割带的层叠体的工序(I)；在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸的工序(IIA)；将拉伸后的切割带松弛的工序(IIB)；以及在层叠体冷却的状态下将切割带进行拉伸，将半导体晶片及芯片焊接膜沿着分割预定线分割成芯片，扩大芯片的间隔的工序(IIC)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||