一种MTP器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种MTP器件结构及其制作方法，所述制作方法包括步骤：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中制作出用于隔离第一阱区与第二阱区的浅沟道隔离结构；采用N型掺杂离子注入工艺于所述第一阱区形成N阱；采用P型掺杂离子注入工艺于所述第二阱区下部形成P-区域；采用N型掺杂离子注入工艺于所述第二阱区上部形成N-区域；形成覆盖所述N阱、浅沟道隔离结构及部分N-区域的浮栅结构。本发明通过将原有的P阱区制作成由下部的P-区域及上部的N-区域组成的第二阱区，可以大大的提高了MTP器件的擦除电压，不需要增加擦除电容的体积便可大大提高MTP器件的擦除速度。本发明制作方法简单，与CMOS工艺兼容，适用于工业生产。

主权项

一种MTP器件结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一半导体衬底，于所述半导体衬底中制作出用于隔离第一阱区与第二阱区的浅沟道隔离结构；采用N型掺杂离子注入工艺于所述第一阱区形成N阱；采用P型掺杂离子注入工艺于所述第二阱区下部形成P‑区域；采用N型掺杂离子注入工艺于所述第二阱区上部形成N‑区域；形成覆盖所述N阱、浅沟道隔离结构及部分N‑区域的浮栅结构。