| 发明名称 | 一种密致的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>导电薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种密致四面体颗粒In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的导电薄膜及其制备方法，该材料是在抛光过的Ti板表面，通过磁控溅射技术制备出大面积的密致韧性，平整有序的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>导电薄膜；该薄膜材料具有良好的导电性能、光透过率与力学特性，可作为新型的导电薄膜或薄膜生物传感器等器件进行大批量生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104867532A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201510163327.5 | 申请日期 | 2015.04.08 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 董文钧;陈旭 |
| 分类号 | H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B1/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 邱启旺 |
| 主权项 | 一种密致的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>导电薄膜，其特征在于：In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>导电薄膜由四面体的In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>颗粒密致有序排列而成。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街928号 | ||