发明名称 太阳能晶硅电池扩散工艺
摘要 本发明涉及太阳能电池生产领域,具体是一种太阳能晶硅电池扩散工艺。步骤一、扩散,将硅片放入扩散炉中,保持载舟温度为700-780℃,以2-10℃/min的速率升温至720-790℃进行扩散,按照氮气流量10L/min、三氯氧磷流量1400ml/min、氧气流量180ml/min的标准进行扩散,时间为8min;步骤二、推进一,以787℃为基础温度,按照6℃/min的速率升温至847℃,开始推进工艺,保持氮气流量为15L/min,推进10min;步骤三、推进二,以847℃为基础温度,以6℃/min的速率降温至750℃,推进30min,保持氧气流量为200ml/min;本发明在提高了扩散的均匀性的同时,减小方阻波动范围,提高太阳能电池的转换效率。
申请公布号 CN104868013A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510175303.1 申请日期 2015.04.15
申请人 山西潞安太阳能科技有限责任公司 发明人 刘进;张广强;张之栋;郭卫;崔龙辉
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 代理人 李富元
主权项 太阳能晶硅电池扩散工艺,其特征在于按照如下的步骤进行:步骤一、扩散,将硅片放入扩散炉中,保持载舟温度为700‑780℃,以2‑10℃/min的速率升温至720‑790℃进行扩散,按照氮气流量10L/min、三氯氧磷流量1400ml/min、氧气流量180ml/min的标准进行扩散,时间为8min;步骤二、推进一,以787℃为基础温度,按照6℃/min的速率升温至847℃,开始推进工艺,保持氮气流量为15L/min,推进10min;步骤三、推进二,以847℃为基础温度,以6℃/min的速率降温至750℃,推进30min,保持氧气流量为200ml/min;步骤四、让扩散炉自然冷却后取出硅片。
地址 046000 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区