发明名称 |
太阳能晶硅电池扩散工艺 |
摘要 |
本发明涉及太阳能电池生产领域,具体是一种太阳能晶硅电池扩散工艺。步骤一、扩散,将硅片放入扩散炉中,保持载舟温度为700-780℃,以2-10℃/min的速率升温至720-790℃进行扩散,按照氮气流量10L/min、三氯氧磷流量1400ml/min、氧气流量180ml/min的标准进行扩散,时间为8min;步骤二、推进一,以787℃为基础温度,按照6℃/min的速率升温至847℃,开始推进工艺,保持氮气流量为15L/min,推进10min;步骤三、推进二,以847℃为基础温度,以6℃/min的速率降温至750℃,推进30min,保持氧气流量为200ml/min;本发明在提高了扩散的均匀性的同时,减小方阻波动范围,提高太阳能电池的转换效率。 |
申请公布号 |
CN104868013A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510175303.1 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
发明人 |
刘进;张广强;张之栋;郭卫;崔龙辉 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 |
代理人 |
李富元 |
主权项 |
太阳能晶硅电池扩散工艺,其特征在于按照如下的步骤进行:步骤一、扩散,将硅片放入扩散炉中,保持载舟温度为700‑780℃,以2‑10℃/min的速率升温至720‑790℃进行扩散,按照氮气流量10L/min、三氯氧磷流量1400ml/min、氧气流量180ml/min的标准进行扩散,时间为8min;步骤二、推进一,以787℃为基础温度,按照6℃/min的速率升温至847℃,开始推进工艺,保持氮气流量为15L/min,推进10min;步骤三、推进二,以847℃为基础温度,以6℃/min的速率降温至750℃,推进30min,保持氧气流量为200ml/min;步骤四、让扩散炉自然冷却后取出硅片。 |
地址 |
046000 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区 |