发明名称 CIGS基薄膜太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明涉及一种CIGS基薄膜太阳能电池及其制造方法。该薄膜太阳能电池的背电极包括金属导电层和层叠于所述金属导电层上的绝缘薄膜层,所述绝缘薄膜层上分布有很多个不规则的孔洞,使光吸收层与背电极层实现点接触。这种点接触结构不妨碍光生电流的通过,又可达到降低界面缺陷态密度,降低光生载流子的表面复合速率,从而提高薄膜太阳能电池的开路电压。
申请公布号 CN104867998A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510311545.9 申请日期 2015.06.09
申请人 厦门神科太阳能有限公司 发明人 李艺明;邓国云;田宏波
分类号 H01L31/0445(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I 主分类号 H01L31/0445(2014.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种CIGS基薄膜太阳能电池,依次包括衬底、金属背电极层、p型光吸收层、缓冲层和n型透明导电膜层,其特征在于,所述金属背电极层与p型光吸收层之间还包括一层绝缘薄膜层,所述绝缘薄膜层上分布多个不规则孔洞。
地址 361009 福建省厦门市火炬高新区创业园宏业楼104室