光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法

摘要

一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于选择扫描式光刻机和步进式光刻机的曝光场尺寸，包括：获取待生产的芯片尺寸x_d×y_d；获取待光刻的晶圆的半径R；定义横轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{sc_max}×y_{sc_max}，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{st_max}×y_{st_max}；x_sc=a_x×x_d、y_sc=a_y×y_d、x_st=b_x×x_d、y_st=b_y×y_d；根据以下约束条件计算a_x、b_x、a_y、b_y的值：（1）k_x×a_x×x_d=l_x×b_x×x_d=X，同时k_y×a_y×y_d=l_y×b_y×y_d=Y；（2）x_sc＜x_{sc_max}、y_sc＜y_{sc_max}、x_st＜x_{st_max}、y_st＜y_{st_max}；（3）X+0.5x_sc＜R-d、Y+0.5y_sc＜R-d；（4）k_x、a_x、l_x、b_x、k_y、a_y、l_y、b_y均为整数。

主权项

一种光刻工艺中的曝光场的尺寸选择方法，用于在同时利用扫描式光刻机和步进式光刻机的光刻过程中，选择扫描式光刻机的曝光场尺寸x_sc×y_sc和步进式光刻机的曝光场尺寸x_st×y_st，所述扫描式光刻机用于形成第一光刻图形，所述步进式光刻机用于形成第二光刻图形，所述选择方法使得位于第一光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot分别与位于第二光刻图形层上的、且与中心距离最远的4个shot中心重合，包括如下步骤：获取待生产的芯片尺寸x_d×y_d；获取待光刻的晶圆的半径R；定义横轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为X、纵轴方向上的两个shot的中心距离晶圆中心的距离为Y、晶圆的去边长度d；扫描式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{sc_max}×y_{sc_max}，步进式光刻机的最大曝光场尺寸为x_{st_max}×y_{st_max}；x_sc=a_x×x_d、y_sc=a_y×y_d、x_st=b_x×x_d、y_st=b_y×y_d；根据以下约束条件计算a_x、b_x、a_y、b_y的值：（1）k_x×a_x×x_d=l_x×b_x×x_d=X，同时k_y×a_y×y_d=l_y×b_y×y_d=Y；（2）x_sc＜x_{sc_max}、y_sc＜y_{sc_max}、x_st＜x_{st_max}、y_st＜y_{st_max}；（3）X+0.5x_sc＜R‑d、Y+0.5y_sc＜R‑d；（4）k_x、a_x、l_x、b_x、k_y、a_y、l_y、b_y均为整数。