| 发明名称 | 具有电荷分布结构的开关器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件包括衬底和设置在该衬底之上的第一有源层。该半导体器件还包括设置在该第一有源层上的第二有源层，使得在该第一有源层与该第二有源层之间出现一个横向传导沟道，一个源极触点、一个栅极触点和一个漏极触点设置在该第二有源层之上。一个传导电荷分布结构在该栅极触点与该漏极触点之间设置在该第二有源层之上。该传导电荷分布结构电容耦合到该栅极触点。 | ||
| 申请公布号 | CN104871318A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380045298.1 | 申请日期 | 2013.06.27 |
| 申请人 | 电力集成公司 | 发明人 | A·库迪姆 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 李洁;郑建晖 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：一个衬底；第一有源层，设置在所述衬底之上；第二有源层，设置在所述第一有源层上，使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现一个横向传导沟道；一个源极触点、一个栅极触点和一个漏极触点，设置在所述第二有源层之上；以及一个传导电荷分布结构，在所述栅极触点与所述漏极触点之间设置在所述第二有源层之上，所述传导电荷分布结构电容耦合到所述栅极触点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||