| 发明名称 | 用于重新形成电阻存储器单元的装置和方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器包括存储器单元的阵列、第一模块和第二模块。第一模块被配置为比较存储器单元的第一状态与基准。存储器单元在存储器单元的阵列中。第二模块被配置为继存储器单元的读周期或写周期之后并且基于比较，重新形成存储器单元，以调整在存储器单元的第一状态和第二状态之间的差值。 | ||
| 申请公布号 | CN104871250A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380064169.7 | 申请日期 | 2013.10.23 |
| 申请人 | 马维尔国际贸易有限公司 | 发明人 | P·苏塔尔德雅;A·吴;W·李;P·李;常润滋 |
| 分类号 | G11C29/50(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅 |
| 主权项 | 一种存储器，包括：存储器单元的阵列；第一模块，被配置为比较存储器单元的第一状态与基准，其中所述存储器单元在存储器单元的所述阵列中；以及第二模块，被配置为继所述存储器单元的读周期或写周期之后并且基于所述比较，重新形成所述存储器单元，以调整在所述存储器单元的所述第一状态和第二状态之间的电阻的差值。 | ||
| 地址 | 巴巴多斯圣米加勒 | ||