发明名称 可提升发光二极管亮度的新型结构
摘要 本发明属于二极管技术领域,旨在提供一种可拓宽反射波谱的高亮度二极管;具体技术方案为:本发明采用的技术方案为:可提升发光二极管亮度的新型结构,包括有源层,有源层的上层设置有第一限制层,第一限制层的上层设置有窗口层,有源层的下层一侧设置有第三反射层、第二反射层和第一反射层,第一反射层的下层设置有第二限制层,第二限制层的下层设置有提高粘合性的缓冲层,缓冲层的下层设置有基板,这种新型的组合式反射层结构可扩展反射波谱的半高宽,更大程度地将有源层的光反射出来,提升了工厂实际生产的稳定性,砷化铝和砷化镓铝两种材料交错的浓度可以扩展电流,提升发光效率。
申请公布号 CN104868033A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510147216.5 申请日期 2015.03.31
申请人 山西南烨立碁光电有限公司 发明人 颜慧
分类号 H01L33/46(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I 主分类号 H01L33/46(2010.01)I
代理机构 太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109 代理人 吴立
主权项 可提升发光二极管亮度的新型结构,其特征在于,包括有源层(3),所述有源层(3)的上层设置有第一限制层(2),所述第一限制层(2)的上层设置有窗口层(1),所述有源层(3)的下层一侧设置有第三反射层(4)、第二反射层(5)和第一反射层(6),所述第一反射层(6)、第二反射层(5)和第三反射层(4)均可反射光波,所述第一反射层(6)的下层设置有第二限制层(7),所述第二限制层(7)的下层设置有提高粘合性的缓冲层(8),所述缓冲层(8)的下层设置有基板(9)。
地址 046000 山西省长治市城区北董新街65号