发明名称 |
一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法 |
摘要 |
一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法,包括以下步骤:把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中,密封反应釜,将反应釜加压升温至预定的过渡条件;Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液,C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面,同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解,使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下;对反应釜继续加压升温,加压升温至预定的生长条件(700~1000℃,1~50MPa),籽晶处开始GaN单晶生长;GaN单晶达到目标厚度后,对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合,阻止GaN多晶的形成,提高了GaN单晶的生长速率。 |
申请公布号 |
CN104862781A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510302054.8 |
申请日期 |
2015.06.04 |
申请人 |
北京大学东莞光电研究院 |
发明人 |
刘南柳;陈蛟;李顺峰;汪青;罗睿宏;张国义 |
分类号 |
C30B29/40(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/40(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
罗晓林 |
主权项 |
一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法,包括以下步骤:把C片、固体的Ga‑Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中,密封反应釜,将反应釜加压升温至预定的过渡条件,该预定的过渡条件是温度为50~800℃,压力为0.1~20MPa;Ga‑Na源材料由固体变为Ga‑Na溶液,C片由于密度小于Ga‑Na溶液而漂浮在气液界面,同时C片开始在Ga‑Na溶液上部区域缓慢溶解,使得Ga‑Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下;对反应釜继续加压升温,加压升温至预定的生长条件,该预定的生长条件是温度为700~1000℃,压力为1~50MPa,籽晶处开始GaN单晶生长;GaN单晶达到目标厚度后,对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。 |
地址 |
523000 广东省东莞市松山湖创新科技园1号楼418室 |