发明名称 一种硅电容麦克风的电气连线结构
摘要 本实用新型提供了一种硅电容麦克风的电气连线结构,包括衬底、非导电层和导电层,所述衬底、非导电层和导电层彼此之间通过lift-off工艺形成有多个台阶结构,其中,所述多个台阶结构上附着有多个金属电极,用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。在现有工艺水平下,硅电容麦克风的电气走线由于应用本实用新型的设计手段而得到优化,可按硅麦克风设置需要实现不同导电层之间的电气连接、走线交叉、电气屏蔽功能,从而使其灵敏度、线性度、信噪比等指标得以提高。
申请公布号 CN204598314U 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201520120299.4 申请日期 2015.02.28
申请人 北京卓锐微技术有限公司 发明人 万蔡辛;杨少军
分类号 H04R19/04(2006.01)I 主分类号 H04R19/04(2006.01)I
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人 孙皓晨;朱世定
主权项 一种硅电容麦克风的电气连线结构,包括衬底、非导电层和导电层,所述衬底、非导电层和导电层彼此之间通过lift‑off工艺形成有多个台阶结构,其特征在于,所述多个台阶结构上附着有多个金属电极,用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。
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