一种低温度系数低压CMOS带隙基准

摘要

本实用新型公开了一种低温度系数低压CMOS带隙基准，它涉及基准源技术领域。第三绝缘栅双极型晶体管、第四绝缘栅双极型晶体管的集电极均接第二绝缘栅双极型晶体管的门极，第四绝缘栅双极型晶体管的门极接第六绝缘栅双极型晶体管的门极，第一三极管、第三三极管的发射极分别接第七绝缘栅双极型晶体管、第九绝缘栅双极型晶体管的集电极，第七绝缘栅双极型晶体管、第八绝缘栅双极型晶体管的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端，运算放大器电路的输出端接第一绝缘栅双极型晶体管的门极。本实用新型减小带隙基准源的温度系数，保证了高精度的使用要求，具有十分广阔的应用价值。

主权项

一种低温度系数低压CMOS带隙基准，其特征在于，包括第一绝缘栅双极型晶体管(M1)‑第十绝缘栅双极型晶体管(M10)、第一电阻(R1)‑第六电阻(R6)、第一三极管(Q1)‑第三三极管(Q3)和运算放大器电路，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的门极分别与第五绝缘栅双极型晶体管(M5)、第七绝缘栅双极型晶体管(M7)‑第十绝缘栅双极型晶体管(M10)的门极连接，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的门极还接第二绝缘栅双极型晶体管(M2)的集电极，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的集电极与发射极连接，第一绝缘栅双极型晶体管(M1)、第三绝缘栅双极型晶体管(M3)、第五绝缘栅双极型晶体管(M5)、第七绝缘栅双极型晶体管(M7)‑第十绝缘栅双极型晶体管(M10)的发射极均接至电源VDD端，第三绝缘栅双极型晶体管(M3)、第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的集电极均接第二绝缘栅双极型晶体管(M2)的门极，第二绝缘栅双极型晶体管(M2)的发射极、第三绝缘栅双极型晶体管(M3)的门极、第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的发射极、第六绝缘栅双极型晶体管(M6)的发射极均接地端，第十绝缘栅双极型晶体管(M10)的集电极接第六电阻(R6)至地端，第四绝缘栅双极型晶体管(M4)的门极接第六绝缘栅双极型晶体管(M6)的门极，第六绝缘栅双极型晶体管(M6)的门极、集电极均接第五绝缘栅双极型晶体管(M5)的集电极，第一三极管(Q1)‑第三三极管(Q3)的基极、集电极均接地端，第一三极管(Q1)的基极与发射极之间接有第一电阻(R1)，第一三极管(Q1)的发射极接第四电阻(R4)至第三三极管(Q3)的发射极，第一三极管(Q1)、第三三极管(Q3)的发射极分别接第七绝缘栅双极型晶体管(M7)、第九绝缘栅双极型晶体管(M9)的集电极，第二三极管(Q2)的发射极接第二电阻(R2)至第八绝缘栅双极型晶体管(M8)的集电极，第八绝缘栅双极型晶体管(M8)的集电极分别接第三电阻(R3)、第五电阻(R5)至第三三极管(Q3)的发射极、集电极，第七绝缘栅双极型晶体管(M7)、第八绝缘栅双极型晶体管(M8)的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端，运算放大器电路的输出端接第一绝缘栅双极型晶体管(M1)的门极。