薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置

摘要

一种薄膜晶体管的制作方法，包括：沉积非晶硅层的步骤；晶化处理，形成多晶硅层的步骤；形成有源层的步骤；形成沟道掺杂的步骤；碳离子注入的步骤；形成过孔的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成源极及漏极的步骤。上述薄膜晶体管的制作方法可提高有源层的禁带宽度，进而降低了低温多晶硅薄膜晶体管的漏电流。而且，还可降低低温多晶硅的可见光吸收系数，降低背光源产生的光致漏电流。此外，上述薄膜晶体管的制作方法，可适用于现有多晶硅薄膜晶体管生产线，无需增加光掩膜次数或更改生产设备，操作方法简单方便。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：沉积非晶硅层的步骤；对所述非晶硅层进行晶化处理，形成多晶硅层的步骤；形成有源层的步骤；形成沟道掺杂的步骤；碳离子注入的步骤；形成栅极绝缘层及栅极的步骤；形成过孔的步骤；形成源极及漏极的步骤。