形成低电阻接触件的方法

摘要

本发明提供了用于形成电接触件的方法。在半导体衬底上方形成第一FET和第二FET。在介电层中蚀刻开口，其中，介电层形成在衬底上方，并且该开口延伸至FET的源极和漏极区。在FET的源极和漏极区上方形成硬掩模。去除硬掩模的第一部分，其中，第一部分形成在第一FET的源极和漏极区上方。在第一FET的源极和漏极区上方形成第一硅化物层。去除硬掩模的第二部分，其中，第二部分形成在第二FET的源极和漏极区上方。在第二FET的源极和漏极区上方形成第二硅化物层。在开口内沉积金属层以填充开口。

主权项

一种用于形成电接触件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上方形成第一场效应晶体管(FET)和第二场效应晶体管(FET)，所述第二FET的导电类型与所述第一FET的导电类型不同；在所述半导体衬底上方形成介电层；在所述介电层中蚀刻出i)延伸至所述第一FET的源极和漏极区的开口，以及ii)延伸至所述第二FET的源极和漏极区的开口；在所述第一FET的源极和漏极区和所述第二FET的源极和漏极区上方形成硬掩模；去除所述硬掩模的第一部分，其中，所述第一部分形成在所述第一FET的源极和漏极区上方；在去除所述硬掩模的第一部分之后，在所述第一FET的源极和漏极区上方形成第一硅化物层，其中，形成所述第一硅化物层的步骤为：在所述第一FET的源极和漏极区上方沉积第一金属层，和退火所述第一金属层以使所述第一金属层反应并形成所述第一硅化物层；在形成所述第一硅化物层之后，去除所述硬掩模的第二部分，其中，所述第二部分形成在所述第二FET的源极和漏极区上方；在去除所述硬掩模的第二部分之后，在所述第二FET的源极和漏极区上方形成第二硅化物层，其中，形成所述第二硅化物层的步骤为：在所述第二FET的源极和漏极区上方沉积第二金属层，和退火所述第二金属层以使所述第二金属层反应并形成所述第二硅化物层；以及在所述开口内沉积第三金属层以填充所述开口。