垂直薄膜电池的无掩模制造

摘要

一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。

主权项

一种制造薄膜电池的方法，所述方法包括以下步骤：在导电基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器层、阴极层、电解质层、阳极层和阳极集电器层；激光冲模图案化所述第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在所述一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为所述一个或更多个第二堆叠的每一者上的所述阳极集电器打开接触区域；在所述封装层和所述接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化所述金属衬垫层，以电隔离所述一个或更多个薄膜电池的每一者的所述阳极集电器。