发明名称 珪化バリウム多結晶体、その製造方法ならびに珪化バリウムスパッタリングターゲット
摘要 PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a barium silicide polycrystal with high density and free from cracks, and to provide a barium gallium silicide sputtering target.SOLUTION: The barium silicide polycrystal, in which the density is ≥3.0 g/cmand the maximum diameter of silicon coarse grains existing in the barium silicide polycrystal is ≤150 μm, is produced by using barium and silicon powder with average grain diameter of ≤5 mm.
申请公布号 JP5768446(B2) 申请公布日期 2015.08.26
申请号 JP20110079546 申请日期 2011.03.31
申请人 東ソー株式会社 发明人 召田 雅実;松丸 慶太郎
分类号 C04B35/58;C23C14/34 主分类号 C04B35/58
代理机构 代理人
主权项
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