发明名称 |
一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法。所述存储器包括:半导体衬底,所述衬底中形成源、漏区域;形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构,其中,所述栅介质层自衬底开始依次包括:隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个电荷存储区以及隔离在所述两个电荷存储区之间及上层的阻挡层;形成于所述阻挡层之上的控制栅电极;覆盖所述控制栅电极的钝化保护层,通过所述钝化保护层,从所述控制栅电极及源、漏区域引出金属互联。通过本发明,可以避免出现二位串扰及源端注入现象,提高器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN102800675B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201110137484.0 |
申请日期 |
2011.05.25 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;王琴;刘璟;谢常青 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明;王宝筠 |
主权项 |
一种电荷俘获非挥发存储器,其特征在于,包括:半导体衬底,所述衬底中形成源、漏区域;形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构,其中,所述栅介质层自衬底开始依次包括:隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个电荷存储区以及隔离在所述两个电荷存储区之间及上层的阻挡层;所述阻挡层包括:硅基氧化物或硅基氮氧化物构成的薄膜;形成于所述阻挡层之上的控制栅电极;覆盖所述控制栅电极的钝化保护层,通过所述钝化保护层,从所述控制栅电极及源、漏区域引出金属互连。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |