发明名称 一种应用双离子束镀膜技术在W表面制备W-Cr合金层的方法
摘要 本发明公开了一种应用双离子束镀膜技术在W表面制备W-Cr合金层的方法。它是采用的双Ar离子束镀膜法,对抛光后的W基表面镀上一层薄薄的Cr膜,在W和Cr的界面处形成W-Cr合金层,该合金层晶粒粒度比W晶粒小,可以很好的改善W晶体的晶面结构,阻止晶界的形成,改善W的表面性能。对在H等离子体辐照下W中H的滞留起泡行为及其他辐照损伤的产生起到很好的阻止作用。原理图如图1,双离子束镀膜示意图,每个标号对应的名称如下:1-辅助溅射Ar离子源,2-主溅射Ar离子源,3-Cr靶材,4-样品台,5-W基片,6-Ar离子溅射源,7-真空室。
申请公布号 CN103498127B 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201310232469.3 申请日期 2013.06.13
申请人 北京航空航天大学 发明人 苟成玲;冯红丽;朱开贵
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种应用双离子束镀膜技术在W表面制备W‑Cr合金层的方法,包括以W作为基底,以Cr做靶材,采用双离子束镀膜方式,其特征在于:所采用的方法是双离子束镀膜法,所用的基片是W块材,所用的靶材是Cr靶材,双离子束由溅射源和辅助溅射源,双离子束的两种溅射源是同种元素。
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