一种低成本的半桥驱动芯片

摘要

本发明涉及一种低成本的半桥驱动芯片，该芯片内部的集成电路由高压单元和低压单元组成，低压单元包括电流偏置模块、欠压保护模块、闭锁逻辑控制模块、电平位移模块和低端驱动模块，高压单元包括高端驱动模块；其中的电平位移模块采用电阻与低压晶体管的分压电路替代现有耐压MOS晶体管串联结构实现高压与低压间的电平位移功能；此外，低压单元采用UHV工艺集成为耐压集成块，高压单元采用HV工艺集成为高压集成块，采用双芯片封装技术将耐压集成块与高压集成块封装在同一个塑封体内，形成一颗具有完整半桥驱动功能的芯片。本半桥驱动芯片具有集成度高、体积小、工作频率高、动态响应快、低功耗等优点。

主权项

一种低成本的半桥驱动芯片，其特征在于：该芯片内部的集成电路分为高压单元和低压单元两部分，所述低压单元包括电流偏置模块、欠压保护模块、闭锁逻辑控制模块、电平位移模块和低端驱动模块，所述高压单元包括高端驱动模块；所述电流偏置模块分别与欠压保护模块、闭锁逻辑控制模块和低端驱动模块相连，所述电流偏置模块提供基准的偏置电流给欠压保护模块、闭锁逻辑控制模块和低端驱动模块，所述欠压保护模块与闭锁逻辑控制模块相连，所述欠压保护模块提供欠压保护信号给闭锁逻辑控制模块，所述闭锁逻辑控制模块分别与电平位移模块和低端驱动模块相连；高端输入信号和低端输入信号进入闭锁逻辑控制模块进行闭锁保护并经延时控制后输出给电平位移模块和低端驱动模块，所述电平位移模块采用电阻与低压晶体管的串联分压电路替代现有两个耐压MOS晶体管串联结构实现高压单元与低压单元间的电平位移功能，所述高端驱动模块与电平位移模块相连，经过电平位移模块的高端输出信号通过高端驱动模块驱动输出，低端输出信号通过低端驱动模块驱动输出；所述低压单元采用UHV工艺集成为耐压集成块，所述高压单元采用HV工艺集成为高压集成块，采用双芯片封装技术将耐压集成块与高压集成块封装在同一个塑封体内，形成一颗具有完整半桥驱动功能的芯片。