发明名称 |
一种刻蚀反应腔体的清洁方法 |
摘要 |
本发明公开了一种刻蚀反应腔体的清洁方法,包括反应腔体和进气单元;清洁方法包括:通入第一工艺气体冲洗进气单元,使进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落;接着通入第二工艺气体,使所述第二工艺气体的等离子体与剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应,以清洗反应腔体的内壁;然后通入第三工艺气体并增加所述第三工艺气体的压力,使所述第三工艺气体的等离子体与进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物反应,以清洗进气单元的内壁;最后增加第二工艺气体的压力,与进气单元内未剥落的第一副产物发生反应,以清洗所述进气单元的内壁。本发明能够有效减小进气单元残留物沉积掉落造成晶圆中心团聚缺陷的风险。 |
申请公布号 |
CN104867815A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510213483.8 |
申请日期 |
2015.04.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
许进;胡伟玲;任昱;吕煜坤;张旭升 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种刻蚀反应腔体的清洁方法,包括反应腔体和进气单元,其特征在于,所述反应腔体的清洁方法包括:步骤1:通入第一工艺气体冲洗所述进气单元,使所述进气单元内壁至少部分的反应副产物剥落;其中,所述反应副产物包括第一副产物和第二副产物;步骤2:通入第二工艺气体并形成所述第二工艺气体的等离子体,使所述第二工艺气体的等离子体与所述剥落的第一副产物及所述反应腔体内壁的第一副产物发生反应,以清洗所述反应腔体的内壁;步骤3:通入第三工艺气体并形成所述第三工艺气体的等离子体,增加所述第三工艺气体的压力,使所述第三工艺气体的等离子体与所述进气单元内已剥落和未剥落的第二副产物发生反应,以清洗所述进气单元的内壁;步骤4:增加所述第二工艺气体的压力,使所述第二工艺气体的等离子体与所述进气单元内未剥落的第一副产物发生反应,以清洗所述进气单元的内壁。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |