发明名称 | 包括电介质材料的半导体器件 | ||
摘要 | 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法,包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体,以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。 | ||
申请公布号 | CN104867859A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
申请号 | CN201510133063.9 | 申请日期 | 2015.02.17 |
申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | E·菲尔古特;B·戈勒;E-M·黑斯;C·施魏格 |
分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;胡莉莉 |
主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括:提供载体;提供半导体晶片,其具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧;向该载体或该半导体晶片施加电介质材料;通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体;处理该半导体晶片;以及从该半导体晶片移除该载体,以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。 | ||
地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |