发明名称 |
一种砷化镓基半导体器件的制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种砷化镓基半导体器件的制作方法,包括有以下步骤:提供一底材,所述底材包括一砷化镓基半导体晶片,晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区,其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角;于底材上形成一与之形状相匹配或基本匹配的绝缘层;通过光蚀刻工艺蚀刻绝缘层,以露出各电极区;通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层,使绝缘层对应底材表面高度落差的区域平滑过渡;于上述结构上方形成一金属层。通过绝缘层表面的平缓化处理,避免了金属层产生裂痕的问题。 |
申请公布号 |
CN104867828A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510207719.7 |
申请日期 |
2015.04.28 |
申请人 |
厦门市三安集成电路有限公司 |
发明人 |
郭佳衢 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 |
代理人 |
连耀忠 |
主权项 |
一种砷化镓基半导体器件的制作方法,其特征在于包括以下步骤:1)提供一底材,所述底材包括一砷化镓基半导体晶片,晶片形成有至少一基极区、发射极区及集电极区,其中相邻电极区之间具有高度差并于高度落差处形成外凸尖角;2)于底材上形成一与之形状相匹配或基本匹配的绝缘层,其中所述绝缘层对应所述底材高度落差区域亦配合形成有外凸尖角;3)通过光蚀刻工艺蚀刻所述绝缘层,以露出所述各电极区;4)通过光蚀刻工艺蚀刻剩余绝缘层,以平滑所述绝缘层的外凸尖角;5)于上述结构上方形成一金属层。 |
地址 |
361000 福建省厦门市吕岭路1733-1751号 |