等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法

摘要

本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。

主权项

一种通过等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)形成涂层的等离子体源，其包括：i)通过气体容纳空间分开的第一电子发射表面和第二电子发射表面；ii)被构造为供应前驱气体或反应气体的至少一种歧管和/或管子；以及iii)电源，所述电子发射表面电连接到电源上，该电源被构造为供应在正和负之间交变的电压，以使供应到第一电子发射表面的电压与供应到第二电子发射表面不同相，并产生包含电子的电流在所述电子发射表面之间流动；其中在所述电子发射表面之间产生等离子体，所述等离子体是线性的，并且所述等离子体被设定为在基本上没有霍尔电流的情况下在其长度上基本上均匀；其中贴近所述等离子体通过所述至少一种歧管和/或管子供应前驱气体；以及其中，等离子体激励、部分分解或者完全分解所述前驱气体。