一种柔性CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

一种制备柔性CdTe薄膜太阳能电池的方法，该制备方法的工艺步骤包括以下步骤：1）清洗云母基底（1）；2）在云母基底（1）上生长透明导电薄膜（2）；3）在基底（1）的透明导电薄膜（2）上生长CdS（3），然后在CdS（3）上面生长CdTe（4）薄膜；4）在有CdCl₂蒸汽的气氛中对步骤（3）制备的CdS和CdTe薄膜进行退火处理；5）在经退火处理后的CdTe薄膜上蒸镀导电背电极；至此制得所述的柔性CdTe多晶薄膜太阳能电池。

主权项

一种制备柔性CdTe薄膜太阳能电池的方法，其特征是制备所述柔性CdTe薄膜太阳能电池的工艺包括以下步骤：1)清洗云母衬底(1)；2)在云母衬底(1)上生长透明导电薄膜(2)；所述的透明导电薄膜(2)为In₂O₃:Sn(ITO)或ZnO:Al(AZO)或InO:B(BZO)或In₂O₃:Mo(IMO)或石墨烯或ZnSnO₃或SnO₂:F(FTO)或NiO或Zn₂SnO₄或Cd₂SnO₄或ZnO:Ti(TZO)；3)在制备好透明导电薄膜(2)的云母衬底(1)上依次生长CdS和CdTe薄膜：在磁控溅射炉放置基底的位置上放上制备好透明导电薄膜(2)的云母衬底(1)，盖上磁控溅射炉的炉盖，对磁控溅射炉腔室抽真空，并升温使云母衬底(1)的温度保持在25‑1100℃；当背底真空到达10^‑3Pa以下，开始溅射CdS多晶薄膜(3)；当在云母衬底(1)上的透明导电薄膜(2)上生长CdS多晶薄膜(3)的厚度为20‑50nm时，停止CdS多晶薄膜(3)的制备；把云母衬底(1)转向正对CdTe靶的位置，开始溅射CdTe多晶薄膜(4)；当在CdS多晶薄膜(3)上所溅射的CdTe厚度0.5‑2μm时，停止CdTe多晶薄膜(4)的制备，同时停止对云母衬底(1)加热，待云母衬底(1)温度降低到室温时，取出沉积了CdS多晶薄膜(3)和CdTe多晶薄膜(4)的云母衬底(1)；4)在有CdCl₂蒸气的气氛中对步骤(3)制备的CdS多晶薄膜(3)和CdTe多晶薄膜(4)进行退火处理；5)在经退火处理后的CdTe多晶薄膜(4)上蒸镀导电背电极(5)；至此制得柔性CdTe多晶薄膜太阳能电池；所述的柔性CdTe薄膜电池采用云母做为衬底，其结构为云母衬底(1)上为透明导电薄膜(2)，透明导电薄膜(2)的上层为CdS多晶薄膜(3)，CdS多晶薄膜(3)的上层为CdTe多晶薄膜(4)，CdTe多晶薄膜(4)的上层为导电背电极(5)；所述的云母衬底(1)的厚度为0.02‑2mm，在400nm‑3000nm的透过率为90％，能够承受1100℃的温度。