一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板

摘要

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板。该制作方法包括制作设有多个有源器件结构的背板基体；在所述背板基体上设置电极层；通过一次构图工艺将所述电极层制成源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。本发明的制作方法采用通过一次构图工艺将电极层制成多个源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极的设计；使源极、漏极和像素电极同处于同一电极层；将现有方法中需要通过两次构图工艺形成的源极、漏极和像素电极，简化为只需一次构图工艺即可完成；大大降低了薄膜晶体管驱动背板的厚度，简化了制作步骤，节约了制作成本。

主权项

一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：制作设有多个有源器件结构的背板基体；在所述背板基体上设置电极层；通过一次构图工艺将所述电极层制成源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极，还包括如下步骤：在所述电极层上设置复合层，并通过构图工艺依次形成像素定义层和隔离柱；所述电极层材料为金属材料或氧化物透明电极材料中任意一种；制作所述背板基体包括如下步骤：在衬底基板上设置半导体层；通过掩膜光刻工艺将所述半导体层制成有源通道；在所述半导体层上设置栅绝缘层；在所述栅绝缘层上设置栅极层；通过掩膜光刻工艺将所述栅极层制成栅极；在所述栅极层上设置隔离保护层；在所述隔离保护层上设置层间电介质层；通过掩膜光刻工艺在所述隔离保护层和层间电介质层内形成接触孔；所述在所述衬底基板上设置半导体层的步骤包括：在所述衬底基板上设置缓冲层；在所述缓冲层上设置非晶硅薄膜；对所述非晶硅薄膜进行脱氢处理；对所述非晶硅薄膜进行准分子激光退火处理，使所述非晶硅薄膜转变多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜即为所述的半导体层，所述缓冲层、栅绝缘层以及层间电介质层的材料为氮化硅，其中，所述通过掩膜光刻工艺将所述半导体层制成有源通道的步骤包括：所述有源通道包括源极接触区、漏极接触区以及设置在所述源极接触区与漏极接触区之间的沟道连接区；通过离子注入工艺对所述有源通道进行掺杂剂注入；在注入过程中，通过所述栅极作为掩模；将掺杂剂分别注入所述源极接触区和漏极接触区；通过活化工艺将所述掺杂剂活化。