一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法

摘要

一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构及其制备方法，该外延结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、N-GaN层、紫外光波长的多量子阱层、非掺高低温GaN层、蓝光波长的多量子阱层及P-GaN层；其制备方法，包括以下步骤：（1）在MOCVD设备中，在衬底上生长GaN缓冲层，（2）在GaN缓冲层上生长N-GaN层，（3）在N-GaN层上生长紫外光波长的多量子阱层，（4）首先生长非掺低温GaN层，随后生长非掺高温GaN层，（5）在非掺GaN层上生长蓝光波长的多量子阱层，（6）在蓝光波长的多量子阱层上生长P-GaN层。本发明直接外延出完整的白光LED结构，有效的简化了工艺，提高了白光LED的光转换效率，降低了工艺成本，同时也大大提高了GaN基LED的发光效率。

主权项

一种无荧光粉GaN基白光LED外延结构，其特征是，包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、N‑GaN层、紫外光波长的多量子阱层、非掺高低温GaN层、蓝光波长的多量子阱层及P‑GaN层。