在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法，该方法包括通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面；对离子注入后的原始基板进行加热；使基底与原始基板的薄膜层接触，进而在室温下利用晶片键合法将原始基板与基底键合在一起，以形成键合体，其中，基底的热膨胀系数与原始基板的热膨胀系数不同；在低于190℃的条件下对键合体加热达预定时间，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，对薄膜层进行退火处理。本发明实现了在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制作薄膜，并且可以制备出大尺寸、纳米级厚度、膜厚均匀、低缺陷密度的薄膜。

主权项

一种在与原始基板的热膨胀系数不同的基底上制造薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；对离子注入后的原始基板进行加热，以使分布在分离层内的离子得到以使离子形成气泡而所述气泡又不能使原始基板的薄膜层脱落或损坏的能量；使基底与原始基板的薄膜层接触，进而在室温下利用晶片键合法将原始基板与基底键合在一起，以形成键合体，其中，基底的热膨胀系数与原始基板的热膨胀系数不同；在低于190℃的条件下对键合体加热达预定时间，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，对薄膜层加热，以进行退火处理。