具有新的保护环终端设计的功率半导体器件及其生产方法

摘要

本发明名称为具有新的保护环终端设计的功率半导体器件及其生产方法。该器件包括第一导电类型的第一层(2)，设置在该第一层(2)的第一主侧(8)上的中心区域(22)中的第二导电类型的第二层(10)，设置在该第二层(2)上的第三导电层(16)和设置在该第一层(2)上与该第一主侧(8)相对的第二主侧(12)的第四导电层(14)。该器件进一步包括环绕该第二层(10)具有第二导电类型的子包含子区(26)的结终端区(24)。此外，间隔区(42)设置在第二层(10)和结终端区(24)之间并且包括第二导电类型的自包含间隔子区(36)，其与第二层(10)电断开。

主权项

一种具有有源区（30）的功率半导体器件（1），其包括：第一导电类型的第一层（2），其具有第一主侧（8）和与所述第一主侧（8）相对的第二主侧（12），第二导电类型的第二层（10），其设置在所述第一主侧（8）上的中心区域（22）中，其中所述第二层（10）对应于所述有源区（30），结终端区（24），其设置在所述第一主侧（8）上的圆周区中并且环绕所述第二层（10），所述结终端区（24）包括在第一导电类型的子区域（28）中实现的至少一个第二导电类型的子区域（26），其中所述结终端区（24）的第一导电类型的子区域（28）和所述结终端区（24）的第二导电类型的子区域（26）互相横向包围，第三导电层（16），其设置在所述第二层（10）上与所述第一层（2）相对的侧上，第四导电层（14），其设置在所述第二主侧（12）上，其特征在于，所述功率半导体器件（1）进一步包括间隔区（42），其设置在所述第二层（10）和所述结终端区（24）之间的所述第一主侧（8）上的中间区中并且环绕所述第二层（10），所述间隔区（42）包括在第一导电类型的子区域（38）中实现的第二导电类型的间隔子区域（36），其中所述间隔区（42）的第二导电类型的间隔子区域（36）横向包围所述间隔区（42）的第一导电类型的子区域（38），使得所述间隔区（42）的间隔子区域（36）与所述第二层（10）电断开，寿命控制区（34），其包括降低邻近半导体材料内的载流子寿命的缺陷，所述寿命控制区（34）至少贯穿所述第二层（10）和贯穿所述间隔区（42）的间隔子区域（36）的一部分而延伸并且不延伸到所述结终端区（24）中，其中所述间隔区（42）的第二导电类型的间隔子区域（36）的宽度大于所述结终端区（24）的第二导电类型的至少一个子区域（26）的宽度，并且所述间隔区（42）的间隔子区域（36）具有至少10μm的宽度（w₃）。