带有衬底端裸露的器件端电极的半导体器件及其制备方法

摘要

一种带有裸露在衬底端的器件端电极(SEDE)的半导体器件具有带有器件端、衬底端以及位于器件端的半导体器件区(SDR)的半导体衬底(SCS)。为了器件的运行，形成器件端电极(DSE)。直通衬底沟槽(TST)穿过半导体衬底延伸，触及器件端电极，将它变成裸露在衬底端的器件端电极。可以通过导电连接线，穿过直通衬底沟槽，互连裸露在衬底端的器件端电极。器件端电极也可以含有一个延伸的支撑架，堆栈在裸露在衬底端的器件端电极下面，以便在晶圆后处理封装时，为它提供结构支撑。

主权项

一种带有裸露在衬底端的器件端电极(SEDE)的半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：一个半导体衬底(SCS)，具有器件端、器件端对面的衬底端以及位于器件端的半导体器件区(SDR)；多个器件端电极(DSE)，形成在器件端上方，并与半导体器件区相接触，用于半导体器件的运行；以及至少一个直通衬底沟槽(TST)，穿过半导体衬底延伸，触及器件端电极，从而将所述的器件端电极变成裸露在衬底端的器件端电极，从而可以通过导电连接线，穿过直通衬底沟槽互联裸露在衬底端的器件端电极；一个对应至少一个裸露在衬底端的器件端电极的器件端钝化物(DSPV)，以及除了所述的至少一个裸露在衬底端的器件端电极之外，在所述的器件端电极中还有一个预设电极带有一个延伸的支撑架，所述器件端钝化物堆积在带有该延伸的支撑架的所述预设电极下方，同时通过所述的器件端钝化物使该延伸的支撑架与所述器件端钝化物之下的所述的至少一个裸露在衬底端的器件端电极分开，以便在晶圆后处理封装时给所述的至少一个裸露在衬底端的器件端电极结构上的支撑。