发明名称 |
一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法 |
摘要 |
一种宽带高性能同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配方法,其中,同轴-陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带包裹并热压焊的方式。采用上述方案,使同轴-微带的转接在DC-67GHz宽频带内射频性能优良,而且提高了该转接的可靠性和稳定性,保证其顺利通过各项环境实验,易于生产。 |
申请公布号 |
CN103326101B |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201310187995.2 |
申请日期 |
2013.05.20 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十一研究所 |
发明人 |
张猛;姜万顺;文春华;李红伟;李鸽 |
分类号 |
H01P11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01P11/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种宽带同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配方法,其特征在于,同轴‑陶瓷介质基片微带转接的装配采用金带线包裹并热压焊的方式,所述金带线的宽度为0.25mm,所述转接方式为软连接;所述同轴‑陶瓷介质基片微带转接在20GHz‑67GHz频段内工作时采用金带线包裹方式,所述包裹为环形包裹,所述环形包裹为由金带线对同轴内导体进行环形包裹后,再与微带线连接。 |
地址 |
266000 山东省青岛市经济技术开发区香江路98号 |