发明名称 |
一种六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的制备方法 |
摘要 |
本发明属于材料制备领域,具体公开了一种六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的制备方法。包括如下步骤:(1)制备石墨相六方氮化硼纳米片;(2)沉淀法制备氮化硼/碳酸银纳米复合物:将制备的六方氮化硼纳米片在去离子水中超声分散,后加入硝酸银,磁力搅拌条件下逐滴加入碳酸氢钠溶液,后经去离子水和无水乙醇离心、洗涤、干燥后得到目标产品。本发明采用高温煅烧法制备出石墨相六方氮化硼,并以其作为载体,通过简单的沉淀法制备出氮化硼/碳酸银复合材料,得到活性和稳定性明显提高的复合材料,在协同催化及稳定半导体方面具有重要的意义。 |
申请公布号 |
CN104857980A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510189978.1 |
申请日期 |
2015.04.21 |
申请人 |
江苏大学 |
发明人 |
吕晓萌;汪家喜;刘军 |
分类号 |
B01J27/24(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I |
主分类号 |
B01J27/24(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种六方氮化硼陶瓷材料稳定碳酸银半导体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备石墨相六方氮化硼纳米片:称量CO(NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>和H<sub>3</sub>BO<sub>4</sub>于烧杯中,在超声作用下使其完全溶于去离子水中,然后在磁力搅拌下水浴蒸干溶液,将蒸干后的样品放在氧化铝坩埚中,并将其置于管式炉中,惰性气体氛围中程序升温至煅烧温度,煅烧结束后,自然降温至室温后,研磨,得到石墨相氮化硼;(2)将步骤(1)制备的石墨相氮化硼超声均匀分散于离子水中,再加入硝酸银,在超声作用下得均匀分散的溶液A;(3)向溶液A中逐滴加0.5mol/L的氨水溶液,同时在磁力搅拌下搅拌20min制得溶液B ;(4)将溶于去离子水的碳酸氢钠溶液逐滴加入到溶液B 中,产生黄色沉淀,并在磁力搅拌下持续搅拌,然后离心,得到氮化硼/碳酸银复合沉淀,用去离子水和无水乙醇洗涤、离心,真空干燥,然后研磨得到氮化硼/碳酸银纳米复合物。 |
地址 |
212013 江苏省镇江市京口区学府路301号 |