一种冷氢化法制备三氯氢硅的设备

摘要

本发明公开了一种冷氢化法制备三氯氢硅的设备，包括竖直设置的圆筒形筒体、上封头和下封头，特点是上封头上设置有合成气出口和放空口，下封头的底部设置有残渣出口，筒体的筒壁下端在接近下封头处设置有内伸至筒体的中心轴并且开口朝下的原料气进口，筒体的内部在靠近原料气进口的上部位置水平设置有均布有若干个分布器喷嘴的分布器支撑板，筒体的筒壁设置有排渣口、硅粉入口，筒体内设置有破泡器和若干个依次连通的旋风分离器，旋风分离器的出口连接合成气出口，旋风分离器的底部开口连接有沉降管，沉降管的出口设置有开关盖板，优点是结构简单、操作方便，可实现连续进料和出料，同时完成气体分布、流化床反应、气固旋风分离、固料沉降再利用。

主权项

一种冷氢化法制备三氯氢硅的设备，包括竖直设置的圆筒形筒体，所述的筒体的顶部设置有椭圆形的上封头，所述的筒体的底部设置有椭圆形的下封头，其特征在于：所述的上封头上设置有合成气出口和放空口，所述的下封头的底部设置有残渣出口，所述的筒体的筒壁下端在接近所述的下封头处设置有原料气进口，所述的原料气进口内伸至所述的筒体的中心并且开口朝下，所述的筒体内在靠近所述的原料气进口的上部位置水平设置有分布器支撑板，所述的分布器支撑板上均布有若干个分布器喷嘴，所述的分布器喷嘴的喷射方向向下，所述的筒体的筒壁在所述的分布器支撑板上表面齐平处设置有排渣口，所述的筒体的筒壁在所述的排渣口上部设置有硅粉入口，所述的筒体内在靠近所述的硅粉入口的上部位置水平设置有4‑10层破泡器，所述的筒体内的上部设置有若干个依次连通的旋风分离器，所述的旋风分离器的出口连接所述的合成气出口，所述的旋风分离器的底部开口连接有沉降管，所述的沉降管的出口靠近最上端所述的破泡器的上部，所述的沉降管的出口设置有可打开和闭合的开关盖板。