发明名称 一种中心出气的可控温加热盘
摘要 一种中心出气的可控温加热盘,通过出气结构将导热介质输送至加热盘与晶圆之间,以实现对晶圆温度的精确控制。它包括设有气体出口的加热盘。所述加热盘的内部分布有加热丝及沿圆周方向设置的导热介质储存及流动空间。所述的导热介质储存及流动空间是指热传导介质管路;所述热传导介质管路采用铸造、焊接或预埋管路的结构方式;所述气体出口沿加热盘的圆周均匀分布。中心进气结构会利用腔室抽取真空时产生的压力差而使得从中心向边缘的流速增加,从而使热传导效率提高。属于半导体薄膜沉积应用及制造技术领域。
申请公布号 CN104862673A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510210257.4 申请日期 2015.04.27
申请人 沈阳拓荆科技有限公司 发明人 陈英男;姜崴;郑旭东;关帅
分类号 C23C16/46(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I 主分类号 C23C16/46(2006.01)I
代理机构 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人 甄玉荃;霍光旭
主权项 一种中心出气的可控温加热盘,其特征在于:它包括设有气体出口的加热盘,所述加热盘的内部分布有加热丝及沿圆周方向设置的导热介质储存及流动空间。
地址 110179 辽宁省沈阳市浑南新区新源街1-1号三层
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