发明名称 |
一种空间节约型LED驱动电路 |
摘要 |
本实用新型涉及一种空间节约型LED驱动电路,特别是有关于一种驱动发光二极管的驱动电路。它包括依次连接的交流电源、整流器与LED发光单元,还包括稳压二极管以及设于整流器与LED发光单元之间的恒流单元,所述稳压二极管的阴极与整流器的输出端相连,稳压二极管的阳极接地,所述恒流单元包括恒流二极管,所述整流器为二极管桥式整流器。本实用新型克服了现有技术中LED驱动电路占用空间过大的缺陷,提供了一种采用多种晶体管构成的LED驱动电路。 |
申请公布号 |
CN204598414U |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201520306487.6 |
申请日期 |
2015.05.13 |
申请人 |
重庆科创职业学院 |
发明人 |
焦键;郑雪娇;黄贻培 |
分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
主分类号 |
H05B37/02(2006.01)I |
代理机构 |
重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 |
代理人 |
隋金艳 |
主权项 |
一种空间节约型LED驱动电路,包括依次连接的交流电源、整流器与LED发光单元,其特征在于:还包括稳压二极管以及设于整流器与LED发光单元之间的恒流单元,所述稳压二极管的阴极与整流器的输出端相连,稳压二极管的阳极接地,所述恒流单元包括恒流二极管,所述整流器为二极管桥式整流器;所述稳压二极管包括P型衬底,所述P型衬底上设置有高压N阱,所述高压N阱上设置有P阱;所述P型衬底的上表面沿横向依次设有第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、P‑body区、第三N+注入区和第二P+注入区;所述第一N+注入区和第一P+注入区设置在高压N阱的区域内;所述第二N+注入区和P‑body区的两端分别跨设在高压N阱和P阱的区域上;所述P‑body区位于二N+注入区的下方;所述第三N+注入区、第二P+注入区设置在P阱的区域内; 所述第一N+注入区、第一P+注入区均接入稳压二极管的阳极,所述第三N+注入区和第二P+注入区均接入稳压二极管的阴极。 |
地址 |
402160 重庆市永川昌州大道西段28号 |