改善半导体器件良率的方法

摘要

本发明公开了一种改善半导体器件良率的方法，通过在NMOS栅极离子注入工艺完成后，先沉积一PEOX膜，再沉积一LTO膜，克服了现有技术中由于进行热退火工艺，使得注入NMOS上的栅极结构中的离子扩散至PMOS的栅极结构中，从而影响PMOS电学性能的问题；也克服了由于PEOX膜非常疏松，导致注入NMOS的栅极中的离子聚团析出在栅极表面，从而在后续的刻蚀工艺完成后，损伤NMOS有源区的问题；同时又克服了由于LTO膜张应力大，对下层膜敏感，会受到表面原子扩散速率的影响，而导致NMOS和PMOS上所沉积的LTO膜的厚度不同，影响后续的刻蚀工艺，导致半导体器件良率的降低的问题，从而提高了半导体器件的良率。

主权项

一种改善半导体器件良率的方法，应用于在一衬底上制备栅极的工艺中，所述衬底包括第一阱区和第二阱区，其特征在于，包括以下步骤：于所述衬底的上表面沉积一共用栅极层，并对位于所述第一阱区上方的共用栅极层进行离子注入工艺；沉积一PEOX膜覆盖所述共用栅极层的上表面；继续沉积一LTO膜覆盖所述PEOX膜的上表面；其中，所述PEOX膜和所述LTO膜共同构成一硬掩膜层，且在制作硬掩模层的工艺中，未进行热退火；利用光刻、刻蚀工艺，并去除剩余的PEOX膜和LTO膜，形成第一类型栅极结构和第二类型栅极结构；其中，PEOX膜为等离子增强氧化膜。