发明名称 利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法
摘要 本发明公开了一种利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法。该方法的步骤如下:(1)原料氟硅酸从降膜蒸发器顶部进料,经上层的液体分布器,在降膜蒸发器内成膜状流下;所述氟硅酸浓度为8~20%;氟硅酸进入降膜蒸发器的流量在300~2000ml/min;同时控制真空度在-0.06~-0.09MPa;(2)降膜蒸发器夹套内通入传热介质,对蒸发器内的料液进行加热;传热介质温度40~80℃,浓缩蒸发时间40~100min;(3)在降膜蒸发器下部的闪蒸室内水蒸汽和浓缩液进行分离,水蒸汽引出降膜蒸发器,进入冷凝器进行冷却回收,浓缩液由降膜蒸发器底部流出进入储罐,获得产品。本发明的方法工艺简单、能耗低、投资少。
申请公布号 CN103848426B 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201410062860.8 申请日期 2014.02.25
申请人 瓮福(集团)有限责任公司;贵州大学 发明人 杨三可;朱静;李天祥;刘松林;刘飞;黄江生;李子艳
分类号 C01B33/10(2006.01)I;B01D1/22(2006.01)I 主分类号 C01B33/10(2006.01)I
代理机构 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 代理人 王蕊
主权项 利用真空降膜蒸发法浓缩氟硅酸的方法,其特征是:该方法的步骤如下:(1) 原料氟硅酸从降膜蒸发器顶部进料,经上层的液体分布器,在降膜蒸发器内成膜状流下;所述原料氟硅酸质量百分比浓度为8‑20%;原料氟硅酸进入降膜蒸发器的流量在300‑2000ml/min;同时控制真空度在‑0.06 ~ ‑0.09  MPa;(2) 降膜蒸发器夹套内通入传热介质,对蒸发器内的料液进行加热;传热介质温度为40‑80℃,浓缩蒸发时间40‑100min;(3)在降膜蒸发器下部的闪蒸室内水蒸汽和浓缩液进行分离,水蒸汽引出降膜蒸发器,进入冷凝器进行冷却回收,浓缩液由降膜蒸发器底部流出进入储罐,获得产品。
地址 550002 贵州省贵阳市南明区市南路57号瓮福国际大厦23楼