发明名称 |
阵列基板 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板,属于显示技术领域,解决了现有的液晶显示器存在两侧发白的技术问题。该阵列基板包括多个子像素单元;每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;在扫描线的延伸方向上,位于阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比,小于位于阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。 |
申请公布号 |
CN104865763A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510323253.7 |
申请日期 |
2015.06.12 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
刘桓 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;张文娟 |
主权项 |
一种阵列基板,其特征在于,包括多个子像素单元,以及与每行子像素单元对应的扫描线、公共电极线,与每列子像素单元对应的数据线;每个子像素单元中包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;数据电压通过第一薄膜晶体管充入主像素电极,数据电压通过第二薄膜晶体管充入次像素电极,第三薄膜晶体管用于降低次像素电极的数据电压;在扫描线的延伸方向上,位于所述阵列基板中间的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比,小于位于所述阵列基板两端的子像素单元中的第三薄膜晶体管的沟道宽长比。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 |