| 发明名称 | 半导体器件及形成其的方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件及形成其的方法。根据本发明的实施例，一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底中形成器件区。所述器件区从衬底的一个侧壁连续地延伸到衬底的相对侧壁。该方法还包括在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区。该方法还包括通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN104867871A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201510084863.6 | 申请日期 | 2015.02.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | I.格茨;A.施门;D.佐伊卡 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;徐红燕 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成器件区，所述器件区从衬底的一个侧壁连续延伸到衬底的相对侧壁；在衬底中形成沟槽，所述沟槽将所述器件区划分为各有源区；以及通过沿着所述沟槽分离所述衬底来分割所述衬底。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||