| 发明名称 | 半导体光集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体光集成电路，其通过发光功能部与光波导部的无边界化，不使用光耦合器而实现了较高的光耦合效率。半导体光集成电路(1)具备：半导体基板(10)；形成于半导体基板(10)且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部(10pn)；形成于pn接合部(10pn)上的一部分的发光功能部(2)；以及形成于与发光功能部(2)连续的pn接合部(10pn)上的光波导部(3)。发光功能部(2)向pn接合部(10pn)供给驱动电流，由pn接合部(10pn)产生光信号，光波导部(3)通过被供给于pn接合部(10pn)的放大电流，一边放大光信号，一边传输光信号。 | ||
| 申请公布号 | CN104871379A | 申请公布日期 | 2015.08.26 |
| 申请号 | CN201380068141.0 | 申请日期 | 2013.12.10 |
| 申请人 | 株式会社V技术 | 发明人 | 水村通伸 |
| 分类号 | H01S5/026(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I;H01S5/50(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/026(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 吕琳;杨生平 |
| 主权项 | 一种半导体光集成电路，其特征在于，所述半导体光集成电路具备：半导体基板、形成于所述半导体基板，且沿着信号传输路径连续延设的pn接合部、形成于所述pn接合部上的一部分的发光功能部、以及形成于与所述发光功能部连续的所述pn接合部上的光波导部，所述发光功能部向所述pn接合部供给驱动电流，由该pn接合部产生光信号，所述光波导部通过被供给于所述pn接合部的放大电流，一边放大所述光信号，一边传输所述光信号。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横滨市 | ||