发明名称 提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺
摘要 本发明公开了一种提高光耦可靠性的封装结构及封装工艺,所述封装工艺具体包括:耦合对准并装架、焊接、包封输入端和输出端、设置高压阻断层以及模压的步骤,其中高压阻断层设置在输入端透明硅胶层和输出端透明硅胶层之间,模压料填充在输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层、高压阻断层外壁与壳体之间。本发明不仅能够提高锡焊温度,使光耦能够在焊接过程中应用SMT贴片锡焊工艺;而且还能够在不需要硅胶表面处理复杂工艺条件下,消除芯片焊接金线与硅胶、模压料之间的应力以及光耦内部的高压击穿路径,在降低生产难度以及生产成本的基础上,有效保证了产品的可靠性。
申请公布号 CN104867919A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510276434.9 申请日期 2015.05.27
申请人 沈震强 发明人 沈震强
分类号 H01L25/16(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L25/16(2006.01)I
代理机构 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人 任益
主权项 提高光耦可靠性的封装结构,包括并列对位安放在壳体内输入端框架(1)和输出端框架(4),所述输入端框架(1)和输出端框架(4)上分别粘接有输入端芯片(3)和输出端芯片(5),输入端芯片和输出端芯片上均焊接有焊接金线;其特征在于:所述输入端芯片(3)和输入端芯片焊接金线(2)外包有球形输入端透明硅胶层(9),输出端芯片(5)和输出端芯片焊接金线(6)外包有球形输出端透明硅胶层(10),输入端透明硅胶层(9)和输出端透明硅胶层(10)之间设置有热塑型透明塑料高压阻断层(11),所述壳体与输入端透明硅胶层、输出端透明硅胶层以及高压阻断层之间填充有模压料(7)。
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