用于锗硅填充材料的成形腔

摘要

本发明提供一种用于锗硅填充材料的成形腔，涉及半导体工艺与器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括修正的钻石形腔，该钻石形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，包括硅材料；腔区域，位于所述衬底内，所述腔区域包括顶部部分和底部部分，所述顶部部分包括以相对于垂直方向呈大约54.74度角为特征的第一侧壁，所述底部部分包括基本上垂直的侧壁；以及填充材料，至少部分地位于所述腔区域内，所述填充材料包括硅和锗材料。