发明名称 一种石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜的制备方法,将功能化石墨烯分散液、金属纳米线分散液和还原剂依次通过滤膜抽滤,得到石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜。本发明方法无需添加任何分散助剂或使用超声等分散手段,简化了制备工艺;还原剂处理后提升了石墨烯的导电性,制备的薄膜具有较好的导电性,且膜具有很好的均一性;采用分次成膜而非一次性成膜,可以使石墨烯层对银纳米线层起到保护作用,还能使具有较高导电性的金属纳米线层最大程度的暴露,提高了薄膜的导电性。
申请公布号 CN104867618A 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201510160787.2 申请日期 2015.04.08
申请人 济宁利特纳米技术有限责任公司 发明人 徐秀芳;郑逸群
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B1/02(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I 主分类号 H01B13/00(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 李桂存
主权项 一种石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将功能化石墨烯分散液,通过滤膜抽滤,在滤膜上形成功能化石墨烯层,得到含功能化石墨烯层的滤膜;(2)将金属纳米线分散液通过步骤(1)的含功能化石墨烯层的滤膜抽滤,在滤膜的功能化石墨烯层上形成金属纳米线层,得到含金属纳米线层功能化石墨烯层的滤膜;(3)将还原剂溶解于水中,然后通过步骤(2)的含金属纳米线层功能化石墨烯层的滤膜抽滤,干燥,得石墨烯与金属纳米线复合导电薄膜。
地址 272000 山东省济宁市国家高新技术产业开发区崇文大道产学研基地A5楼