发明名称 一种短时与长时存储器件及存储方法
摘要 本发明属于信息存储器件领域,提供了一种短时与长时存储器件及存储方法;该存储器件包括第一电极层、功能材料层和第二电极层;第一电极层的材料为惰性导电金属,第二电极层的材料为活泼导电金属,功能材料层的材料为硫系化合物;在单个第一写信号或多个具有第一间隔时间的第一写脉冲作用下,存储器件从高阻态转换到易失性低阻态,存储信息能维持一段较短时间;在单个第二写脉冲或多个具有第二间隔时间的第一写脉冲作用下,存储器件从高阻态或易失性低阻态切换到非易失性低阻态,存储信息能维持很长一段时间。可以实现生物短时记忆和长时记忆的功能模拟,将重要数据长期稳定存储,将不重要数据主动遗忘删除,从功能上提高存储效率。
申请公布号 CN103117087B 申请公布日期 2015.08.26
申请号 CN201310015283.2 申请日期 2013.01.16
申请人 华中科技大学 发明人 缪向水;李祎;钟应鹏;许磊;孙华军;徐小华
分类号 G11C13/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I 主分类号 G11C13/00(2006.01)I
代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 朱仁玲
主权项 一种短时与长时存储器件,其特征在于,包括第一电极层、与所述第一电极层连接的功能材料层,与所述功能材料层连接的第二电极层;所述第一电极层的材料为惰性导电金属,所述第二电极层的材料为活泼导电金属,所述功能材料层的材料为硫系化合物;所述第一电极层用于接收外部的脉冲信号,所述第二电极层用于接收外部的脉冲信号;当施加在所述第一电极层与所述第二电极层之间的电压为第一写脉冲时,所述存储器件从高阻态转变为易失性低阻态,经过遗忘时间后所述存储器件从所述易失性低阻态恢复到所述高阻态,实现短时存储功能;当施加在所述第一电极层与所述第二电极层之间的电压为第二写脉冲,所述存储器件从高阻态转变为非易失性低阻态,实现长时存储功能。
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