发明名称 |
砷化镓电池的激光加工方法 |
摘要 |
本发明适用于砷化镓电池加工领域,提供了一种砷化镓电池的激光加工方法,通过对砷化镓晶片进行切割形成多个砷化镓电池,首先采用紫外激光对所述GaAs层进行加工,形成多个隔离槽;其次采用紫外激光延所述隔离槽至少一次对所述金属衬底加工,直到将所述金属衬底切断,产生多个子电池。本实施例通过紫外激光分两步对砷化镓晶片进行切割,首先形成宽度较小的隔离槽,再延隔离槽进行加工,最终形成多个芯片,由于降低了隔离槽的宽度,增加了单枚晶片生产子电池的数量,降低了生产成本,同时,采用紫外激光进行加工,避免了热效应对芯片的影响,提高了良品率。 |
申请公布号 |
CN104868017A |
申请公布日期 |
2015.08.26 |
申请号 |
CN201510292041.7 |
申请日期 |
2015.06.01 |
申请人 |
大族激光科技产业集团股份有限公司 |
发明人 |
王振华;谢建;乐安新;郑付成;黄东海;黄秋香;高云峰 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 |
代理人 |
陈琳 |
主权项 |
一种砷化镓电池的激光加工方法,通过对砷化镓晶片进行切割形成砷化镓电池,其特征在于,采用紫外激光对所述GaAs层进行加工,形成多个隔离槽;采用紫外激光延所述隔离槽至少一次对所述金属衬底加工,直到将所述金属衬底切断,产生多个子电池。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区深南大道9988号 |